Леонид Николаевич Рашкович

Резюме

ПЕРСОНАЛЬНАЯ ИНФОРМАЦИЯ:

Домашний адрес: 123585, Москва, ул. Маршала Тухачевского, 28-2-27 123585

Дата и место рождения: 28 февраля 1931 года, Ленинград

Национальность: Россия

Семейное положение: женат, один ребенок

ДОЛЖНОСТЬ И МЕСТО РАБОТЫ:

Профессор

Физический факультет, Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова

Телефон: 7(495)939-2981

Факс: 7(495)939-2988

E-mail: rashk@polly.phys.msu.ru

ОБРАЗОВАНИЕ:

Окончил Московский химико-технологический институт 1954

УЧЕНАЯ СТЕПЕНЬ:

Кандидат технических наук, Московский химико-технологический институт, 1958

Доктор технических наук, Московский химико-технологический институт, 1981

Профессор физики, 1993

ДОЛЖНОСТИ:

Старший научный сотрудник, Московский институт строительных материалов, 1954-1964

Старший научный сотрудник, Физический факультет, Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, 1964-1978

Ведущий научный сотрудник, Физический факультет, Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, 1978-2000

Профессор, Физический факультет, Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, 2000-

Основные научные результаты

Легированные неодимом кристаллы ниобата лития.

Впервые на одном кристалле одновременно получена генерация лазерного излучения и удвоение его частоты. Определены особенности формирования доменной структуры LiNbO3 при выращивании кристаллов разной ориентации (1966-1970)

Фазовые диаграммы кристаллов группы KDP.

Открыты новые явления при кристаллизации кристаллов этой группы (1970-1980). Обнаружена большая растворимость и меньшая скорость роста в D2O по сравнению с H2O. Показано, что степень дейтерирования [D]/([H]+[D]) кристаллов меньше, чем раствора. Определены условия существования тетрагональной и моноклинной фаз K(DxН1-x)2PO4. В системах A2O-B2O5- (DxH1-x)2O (A = K, Rb,Cs; B = P, As) обнаружены новые фазы, определены свойства растворов и кристаллов.

Новая интерферометрическая техника и основные явления при кристаллизации в растворе.

Разработаны in situ интерференционные методики количественной характеризации морфологии растущей поверхности и приповерхностного слоя перемешиваемого раствора (1980-1986). Впервые экспериментально проверена теория дислокационного роста кристаллов и измерены основные параметры, контролирующие рост – свободная энергия ступеней, кинетический коэффициент, активность дислокационных источников роста. Наблюдалась генерация ступеней элементарными и комплексными винтовыми дислокациями, что позволило определить форму вицинальных холмиков. Определено влияние типа примесей на потерю устойчивости морфологии поверхности, как функции пересыщения, концентрации примеси и скорости потока раствора. Эта методика применена для исследования дислокационного роста широкого ряда кристаллов, таких как KDP, TGS, KAP, Ba(NO3)2, lithium formiate, potassium pentaborate.

Быстрое выращивание кристаллов из раствора.

Быстрая технология роста инициирована и разработана (1981-1996). Было понято, что медленный рост кристаллов не является необходимым для их совершенства. Важно лишь обеспечить морфологическую стабильность растущей поверхности, что можно реализовать и при больших пересыщениях. Это реализовано при использовании «точечных» затравок, высокой чистоты сырья и кинетическом режиме роста. Такая техника была развита при сотрудничестве с асп. А.Т. Амандосовым и нс Н.П. Зайцевой. Позднее Н.П. Зайцева уже в Ливерморской национальной лаборатории США получила кристаллы KDP лазерного качества с линейными размерами до 100 см, оптические элементы из которых используются в масштабной установке лазерного термоядерного синтеза. Скоростное выращивание сегодня применяется и для получения других кристаллов

Атомно-силовая микроскопия процессов кристаллизации.

При изучении роста кристаллов белка куриного яйца – лизоцима (1996- ) впервые были визуализированы изломы на элементарных ступенях, измерены их параметры и концентрация. Была открыта и понята слабая флуктуация ступеней при низкой плотности изломов. Показана неприменимость в этом случае закона Гиббса-Томсона, связывавшего скорость сегмента ступени с его длиной. Развита и экспериментально проверена модель роста не косселевских кристаллов, открывающая путь для выявления типа строительных единиц кристалла. Обнаружен рост кристаллов во влажной среде под воздействием измерительной иглы микроскопа, что доказывает зависимость растворимости от толщины пленки раствора на поверхности кристалла.

Публикации

Более 150 статей, 2 монографии, 10 авторских свидетельств.
За последние 20 лет на 1 статью приходилось 13,5 ссылок. Индекс Хирша – 18.

Профессиональные награды

Учебная работа

Общественная работа